h成人动漫 接口速率5.6 GT/s、超400层！三星将推出第10代V-NAND闪存

三星的这一新一代V-NAND保握了TLC架构，每个芯片的容量为1Tb点击收听本新闻听新闻

快科技12月5日音问，据媒体报说念，三星行将在海外固态电路会议（ISSCC）上展示其最新的第10代朝上400层3D NAND Flashh成人动漫，接口速率可达5.6 GT/s。

三星的这一新一代V-NAND保握了TLC（三级单位，或每个单位3位）架构，每个芯片的容量为1Tb（128GB）。

三星宣称，其新的超400层3D TLC NAND Flash的存储密度达到了28 Gb/mm²，略低于其1Tb 3D QLC V-NAND的28.5 Gb/mm²，后者是现辞宇宙上存储密度最高的NAND Flash。

此外，三星第10代V-NAND的接口速率达到5.6 GT/s，昭彰快于长江存储的3.6 GT/s。

在5.6 GT/s的速率下，十分于约700 MB/s的数据传输速率，意味着其中10个耕作不错使PCIe4.0 x4接口富足，而20个足以使超快的PCIe5.0x4接口富足。

三星决策在ISSCC 10上推出第10代V-NAND，因此很可能在来岁开动批量分娩这种NAND Flash，仅仅尚不明晰新何时会参加三星我方的SSD。

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